特許
J-GLOBAL ID：200903024512085506
窒化ガリウム系化合物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-093117
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270758
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【目的】窒化ガリウム系化合物半導体の透光性電極の電気的及び光学的特性を良好にする【構成】透光性の電極18Aは、コンタクト層17に接合する膜厚40Åのマンガン(Mn)から成る第1金属層81と、その第1金属層81に接合する膜厚60Åの金(Au)から成る第2金属層82とで構成されている。電極18A、18B、20の形成の後、O2ガスを含む雰囲気中で約 550°Cにして3 分程度、加熱し、コンタクト層17、クラッド層16をp型低抵抗化すると共にコンタクト層17と第1金属層81、第2金属層82、パッド電極20との合金化処理、電極18Bとn+層13との合金化処理を行った。電気的特性及び透光性は良好である。
請求項（抜粋）：
p型の窒化ガリウム系化合物半導体を有する素子において、前記p型の窒化ガリウム系化合物半導体上に形成された少なくとも第1金属層と第2金属層とを有し、前記第1金属層は金属酸化物が導電性及び透光性を有する金属から成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
