特許

J-GLOBAL ID：200903083493586864

p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子

発明者： 柴田 直樹 ,  梅崎 潤一 ,  浅井 誠 ,  上村 俊也 ,  小澤 隆弘 ,  森 朋彦 ,  大脇 健史
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-160886
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064337
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】p伝導形3族窒化物半導体に対する電極において、オーミック性の改善、低抵抗化、接合強度の向上を図る。【構成】p+ 層7の表面上に、ニッケル(Ni)層、その上に金(Au)層を形成して、熱処理によって、深さ方向の元素の分布を反転させて、表面側からニッケル(Ni)、金(Au)の順に元素が存在するように構成させることで、電極はより低抵抗で且つオーミック性が向上し、しかも、接合強度の高いものとなった。

請求項（抜粋）：

p伝導形3族窒化物から成る半導体の電極において、前記半導体の表面上に積層して形成された少なくとも第1金属層と第2金属層とを有し、前記第1金属層の構成元素は前記第2金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素であり、前記第2金属層の構成元素は前記半導体に対するオーミック性が前記第1金属層の構成元素よりも良好な元素であり、熱処理により、前記半導体の表面から深さ方向の元素分布は、前記第2金属層の構成元素の方が前記第1金属層の構成元素よりも深く浸透した分布であることを特徴とするp伝導形3族窒化物半導体の電極。

IPC (4件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

H01L 29/46 H ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/46 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253171   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-124890   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-118227   出願人：日亜化学工業株式会社