特許

J-GLOBAL ID：200903024582109135

半導体記憶装置

発明者： 中西 信子
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308079
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150163
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】露光時の定常波によるレジストパターン転写精度低下防止するためのダミーセルパターン部を備える半導体記憶装置において、メモリセルアレイ部とその周辺のセル駆動回路部とを含む領域の面積を縮小する。【解決手段】情報を記憶させるためのメモリセルパターン部2の周辺に、メモリセルパターン部2におけるフォトレジストパターン形成の際の転写精度を保証するためのダミーセルパターン部1を配置し、ダミーセルパターン部1の周辺にメモリセルパターン部2を駆動するための駆動回路部4を設け、ダミーセルパターン部1内に配置されたトランジスタに、駆動回路部4を構成するトランジスタとして、電気的動作を行わしめる。

請求項（抜粋）：

情報を記憶させるためのメモリセル領域の周辺に、前記メモリセル領域におけるフォトレジストパターン形成の際の転写精度を保証するためのダミーセル領域を配置し、前記ダミーセル領域の周辺に前記メモリセル領域を駆動するための駆動回路部を設け、前記駆動回路部を構成するトランジスタを前記ダミーセル領域内に配置したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 27/10 681 F ,  H01L 21/30 561 ,  H01L 27/10 621 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-225866   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-067809   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-266866