特許
J-GLOBAL ID：200903024610283596
炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186535
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074263
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成時の形成速度を速める。【解決手段】(1)水蒸気と酸素との混合雰囲気中で酸化する際、水蒸気分圧を0.1〜0.9の範囲に制御する。(2)水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化法において、水素と酸素との流量比を、1:0.6〜1:9.5の範囲とする。(3)水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化法において、水素と酸素との流量比を、ほぼ1:4.5として酸化膜の大部分を形成後、水素と酸素との流量比を、ほぼ1:0.55として残りの酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
加熱された炭化けい素表面上に、水蒸気と酸素とを導入して酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、水蒸気の分圧を0.1〜0.9の範囲に制御することを特徴とする炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法。
引用特許：
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