特許
J-GLOBAL ID：200903024618720588
ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199960
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト材料。【効果】 このポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。(式中R1は水素原子又はメチル基、R8は水素原子、メチル基、フェニル基、R9は水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基を示す。p、r、sは正数、qは0又は正数、z2は0〜3の整数である。)
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト材料。【化1】(但し、式中R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基であり、R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、R<SP>3</SP>、R<SP>4</SP>、R<SP>6</SP>、R<SP>7</SP>は各々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わし、R<SP>5</SP>は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキレンエーテル基、シクロヘキシレン基又はアリーレン基であり、R<SP>8</SP>は水素原子、メチル基、フェニル基又はシアノ基であり、R<SP>9</SP>は水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又はビニル基、アセチル基、フェニル基もしくはシアノ基置換アルキル基を示す。また、各単位はそれぞれ1種で構成されていても、2種以上で構成されていてもよい。p、r、sは正数、qは0又は正数であり、0<p/(p+q+r+s)≦0.8、0≦q/(p+q+r+s)≦0.8、0<s/(p+q+r+s)≦0.9を満足する数である。z1は1〜3の整数であり、z2は0〜3の整数である。)
IPC (5件)：
G03F 7/039 601
, C08L 25/18
, C08L 33/06
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, C08L 25/18
, C08L 33/06
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
