特許
J-GLOBAL ID：200903024622368481
SOG膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350215
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201843
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】[目的]SOG膜に損傷を与えることなく膜表面のみならず膜内部からも有機物を効果的に除去して膜質を向上させる。[構成]処理室10内で、熱板12の中には半導体ウエハWを加熱するための発熱抵抗体14が内蔵されており、熱板12の外側には半導体ウエハWに処理ガスまたは雰囲気ガスとしてオゾンを供給するためのガス導入室16が周回方向に設けられている。発熱抵抗体14は室外の温度制御装置32に電気的に接続され、温度制御装置32の制御によって被処理体(半導体ウエハW)の表面が所望の温度に加熱される。オゾン発生器20より配管24を通って処理室10内のガス導入室16に導入されたオゾンは、ガス導入室16の上面に所定ピッチで設けられた多数のガス噴射口16aより周回方向均一に所定の流量で噴き出して被処理体(半導体ウエハW)の表面付近を流れ、排気口10aから排出される。
請求項（抜粋）：
所定の下地膜の上にSOGを塗布する第1の工程と、前記第1の工程の後に前記SOG膜をアニールしてキュアする第2の工程と、前記第2の工程の後に前記SOG膜をエッチバックして膜表面を平坦化する第3の工程と、前記第3の工程の後に、前記SOG膜を所定温度に加熱しながらオゾンの雰囲気に晒して、前記SOG膜から有機物を除去する第4の工程と、を有するSOG膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/304 341
