特許
J-GLOBAL ID：200903002880895042
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116972
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314166
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 MR比が高く、かつ信頼性の高い強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 反強磁性体層102の上に、第1の強磁性体層(固定層)103を堆積する。第1の強磁性体層103上に、金属または半導体の層104を堆積する。その層104の金属または半導体を基底状態にある酸素と反応させることで、金属の酸化物または半導体の酸化物からなる第1段階の酸化物層105を作製する。その酸化物層の金属の酸化物または半導体の酸化物を励起状態にある酸素と反応させることで、第2段階の酸化物層(絶縁層)106を作製する。その絶縁層上に第2の強磁性体層(フリー層)107を作製することで、第1の強磁性体層103と第2の強磁性体層107で第2段階の酸化物層106を挟んだ構成の強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子を製造する。
請求項（抜粋）：
基板側の第1の強磁性体層と、該第1の強磁性体層上の絶縁層と、該絶縁層上の第2の強磁性体層からなる強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記第1の強磁性体層上に金属または半導体を堆積する工程と、前記金属または前記半導体を基底状態にある酸素と反応させることで、金属の酸化物または半導体の酸化物からなる酸化物層を作製する工程と、前記酸化物層を励起状態にある酸素と反応させることで、前記絶縁層を作製する工程と、前記絶縁層上に前記第2の強磁性体層を作製する工程を有する磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA15
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA10
, 5E049AC05
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5E049GC01
