特許
J-GLOBAL ID：200903024665513965

パターン形成方法

発明者：
木 原 尚 子

木 原 尚 子 について

, 
稗 田 泰 之

稗 田 泰 之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-221555
公開番号（公開出願番号）：特開2008-043873
出願日： 2006年08月15日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
【課題】ブロックコポリマーの自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、十分なエッチング耐性と高いアスペクト比の双方を有し、しかも自己組織化により形成されるパターンを被加工物に対して忠実かつ簡便な工程で転写することができるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】ブロックコポリマー、ケイ素化合物、およびこれらの成分を溶解させる溶媒を含んでなる組成物を被加工体上に塗布することによって、該被加工体上に前記組成物層を形成し、前記組成物層において、前記ブロックコポリマーの自己組織化により、前記ケイ素化合物が偏在したエッチング耐性を有する相と、ポリマー相からなるエッチング耐性の低い相にミクロ相分離を生じさせることによって、微細パターンが形成されたパターン層を形成し、前記微細パターンが形成されたパターン層をマスクとして、前記被加工体をエッチング加工することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ブロックコポリマー、ケイ素化合物、およびこれらの成分を溶解させる溶媒を含んでなる組成物を被加工体上に塗布することによって、該被加工体上に前記組成物層を形成し、 前記組成物層において、前記ブロックコポリマーの自己組織化により、前記ケイ素化合物が偏在したエッチング耐性を有する相と、ポリマー相を含むエッチング耐性の低い相に相分離を生じさせることによって、微細パターンが形成されたパターン層を形成し、 前記微細パターンが形成されたパターン層をマスクとして、前記被加工体をエッチング加工することを特徴とする、パターン形成方法。
IPC (10件)：
B05D 3/10 ,  C08K 5/54 ,  C08L 53/00 ,  C08L 71/02 ,  C08L 83/00 ,  B05D 7/24 ,  H01L 21/306 ,  G11B 5/84 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00
FI (10件)：
B05D3/10 C ,  C08K5/54 ,  C08L53/00 ,  C08L71/02 ,  C08L83/00 ,  B05D7/24 302Y ,  H01L21/302 105A ,  G11B5/84 Z ,  B82B1/00 ,  B82B3/00
Fターム (46件)：
4D075BB20Z ,  4D075BB21Y ,  4D075BB40Z ,  4D075BB45Z ,  4D075BB49Z ,  4D075BB60Y ,  4D075BB66Z ,  4D075BB70Z ,  4D075BB78Z ,  4D075CA44 ,  4D075CA47 ,  4D075CB21 ,  4D075CB38 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC27 ,  4D075EA07 ,  4D075EB14 ,  4D075EB22 ,  4D075EB37 ,  4D075EB43 ,  4D075EC30 ,  4J002BP01W ,  4J002BP03W ,  4J002CH02W ,  4J002CP02X ,  4J002CP03X ,  4J002EX036 ,  4J002EX046 ,  4J002GH00 ,  4J002GQ00 ,  4J002HA05 ,  5D112AA18 ,  5D112AA19 ,  5D112CC05 ,  5D112GA20 ,  5F004DA18 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB23 ,  5F004EA04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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