特許

J-GLOBAL ID：200903024676433955

III-V族化合物半導体発光素子

発明者： 大久保 伸洋 ,  厚主 文弘 ,  渡辺 昌規
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116645
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308551
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 p型及びn型添加不純物の拡散を抑制する。【解決手段】 複数のn型III-V族化合物半導体膜と、複数のp型III-V族化合物半導体膜と、を備えたIII-V族化合物半導体発光素子において、前記p型III-V族化合物半導体の少なくとも1層は、炭素原子とII族元素原子とが同時に添加されてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

複数のn型III-V族化合物半導体膜と、複数のp型III-V族化合物半導体膜と、を備えたIII-V族化合物半導体発光素子において、前記p型III-V族化合物半導体の少なくとも1層は、炭素原子とII族元素原子とが同時に添加されてなることを特徴とするIII-V族化合物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221816   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-224149   出願人：シャープ株式会社