レーザ熱処理方法およびその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229370
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335586
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】この発明は低い温度で保持された被処理物を、所定の熱処理時間で確実に熱処理することができるレーザ熱処理方法およびその装置を提供することにある。【構成】基板1に形成された薄膜2にパルスレーザ光を照射して熱処理するレーザ熱処理方法において、上記基板を所定温度に保持する第1の工程と、所定温度に保持された上記薄膜を損傷発生温度以上とならず、かつ熱処理温度以上となる強度をもつ、最初のパルスレーザ光で照射する第2の工程と、上記最初のパルスレーザ光で照射された上記薄膜が熱処理温度以下に低下する前に、上記薄膜を損傷発生温度以上とせず、かつ熱処理温度以上に維持する強度をもつ、つぎのパルスレーザ光で少なくとも1回以上照射する第3の工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理物にパルスレーザ光を照射して熱処理するレーザ熱処理方法において、上記被処理物を所定温度に保持する第1の工程と、所定温度に保持された上記被処理物を損傷発生温度以上とならず、かつ熱処理温度以上となる強度をもつ、最初のパルスレーザ光で照射する第2の工程と、上記最初のパルスレーザ光で照射された上記被処理物が熱処理温度以下に低下する前に、上記被処理物を損傷発生温度以上とせず、かつ熱処理温度以上に維持する強度をもつ、つぎのパルスレーザ光で少なくとも1回以上照射する第3の工程とを具備したことを特徴とするレーザ熱処理方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体層のアニール方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-185665 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平4-267578
特開平1-246828

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