半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058560
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250791
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の微細化に対処しうる、製造が容易で安価な低コンタクト抵抗の半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】 Si基板(1)上の不純物領域(7)と、層間絶縁膜(8)と、ソース、ドレイン配線(14)と、不純物領域に囲まれ、コンタクトホール(9)下端の径よりも大きな径の金属シリサイド層(12)とを備え、金属シリサイド層は、層間絶縁膜の底面(27)に接する上側金属シリサイド層(25)と不純物領域表面(28)に接する下側金属シリサイド層(26)との境界をなす界面(20)を含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の主表面に形成された不純物領域と、前記不純物領域を覆う層間絶縁膜と、前記不純物領域の上の前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホール内および当該コンタクトホール周囲の前記層間絶縁膜の上に形成されている導電膜と、前記コンタクトホール底部より下側の前記不純物領域において、前記不純物領域に接して囲まれ、前記コンタクトホール下端の径よりも大きな径を有する金属シリサイド層とを備え、前記金属シリサイド層は、前記コンタクトホール下端の前記層間絶縁膜の底面に接する上側金属シリサイド層と、前記不純物領域に接する下側金属シリサイド層との境界をなす界面を含む、半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/3065 , H01L 21/308 , H01L 21/768 , H01L 29/41 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/285 C , H01L 21/308 B , H01L 21/302 F , H01L 21/90 C , H01L 29/44 C , H01L 29/78 301 P

Fターム (78件)：

4M104AA01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104CC01 , 4M104DD02 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD10 , 4M104DD43 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104FF16 , 4M104FF27 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH15 , 5F004AA16 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB04 , 5F004DB06 , 5F004EA10 , 5F004EA29 , 5F004EB01 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN12 , 5F033NN13 , 5F033PP06 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033TT08 , 5F033WW03 , 5F033XX03 , 5F033XX09 , 5F040DA10 , 5F040DB01 , 5F040EA08 , 5F040EA09 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EC26 , 5F040EF03 , 5F040EH02 , 5F040EH05 , 5F040EH08 , 5F040EJ03 , 5F040EK01 , 5F040FA03 , 5F040FC19 , 5F040FC21 , 5F043AA02 , 5F043BB01 , 5F043FF02 , 5F043GG04

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-091934
特開昭58-046633
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-184038 出願人：三菱電機株式会社

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