電子部品のメッキ後処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：窪田法明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-308142
公開番号（公開出願番号）：特開平8-144083
出願日： 1994年11月17日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：

【要約】【目的】電子部品の外部電極の最外層に形成されたメッキ層の密着性を良くすることを第一の目的とし、更に、電子部品ができるだけ帯電しないようにすることを第2の目的とするメッキ後処理方法を提供することを目的とする。【構成】電子部品をバレル研磨し、該電子部品の外部電極の表面の半田濡れ性の良い金属又は合金の粒子からなるメッキ層を潰して平滑にすることにより第一の目的を達成する。ここで、メッキ層の表面荒さRa は、Ra ≦0.6μm、特に、Ra ≦0.5μmが好ましい。金属又は合金はSn又はSn/Pbからなる。バレル研磨は乾式でも湿式でもよい。バレル研磨した電子部品に帯電防止剤を被覆して第二の目的を達成する。帯電防止剤はシロキサン系の帯電防止剤でも界面活性剤系の帯電防止剤でもよい。

請求項（抜粋）：

電子部品をバレル研磨して、該電子部品の外部電極の表面の半田濡れ性の良い金属又は合金の粒子からなるメッキ層を潰して平滑にすることを特徴とする電子部品のメッキ後処理方法。

IPC (4件)：

C25D 5/52 , B24B 31/00 , H01G 4/252 , H01G 13/00 391

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-179713
角形チップ抵抗器の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-136543 出願人：松下電器産業株式会社
正特性サーミスタ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-068436 出願人：株式会社村田製作所

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