エピタキシャルウェハの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-209394
公開番号（公開出願番号）：特開2009-040657
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】凹部が浅く扁平であるPSS(Patterned Sapphire Substrate)を用いた場合であっても、PSSと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、PSS/窒化物エピウェハの製造方法を提供する。【解決手段】AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および/またはAl組成xが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

成長面に凹部及び凸部が設けられており、該凹部が底面を有する凹部であり、該凸部が上面を有する凸部である、サファイア基板と、前記凸部の上部を起点として前記成長面を覆うように成長した窒化物半導体膜と、を有するエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記成長面上にAlxGa1-xN(0<x≦1)からなる低温バッファ層を、前記凹部の底面上と前記凸部の上面上とで当該低温バッファ層の成長速度および/またはAl組成xが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて前記窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、前記窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、前記凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、前記凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、前記低温バッファ層の膜厚を設定する、ことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 25/18 , H01L 33/00 , H01L 31/10 , H01S 5/02

FI (7件)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/18 , H01L33/00 C , H01L31/10 A , H01S5/02

Fターム (61件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EE07 , 4G077EF03 , 4G077EH09 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA08 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TJ02 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 4G077TK10 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA11 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA12 , 4K030LA14 , 5F041AA42 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AE29 , 5F045AF09 , 5F049MB07 , 5F049NA18 , 5F049PA03 , 5F049PA14 , 5F049SS01 , 5F049SS06 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP04 , 5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (2件)

窒化物半導体構造とその製法および発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-216110 出願人：シャープ株式会社
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335591 出願人：三菱電線工業株式会社

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