半導体集積回路

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072280
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269428
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】小型ながら保護機能に優れた半導体集積回路を提供する。【解決手段】集積回路の内部回路102は入力信号用インバータ103を含み、通常5Vの電源電圧Vccが供給される。入力端子101と内部回路は抵抗をもつ信号線105で接続される。信号線のノード106Bには入力信号電圧が、内部回路の通常使用する信号電圧か試験モードへ設定する高電圧かの電圧判定回路107が接続されている。信号線のノード106AとVcc間には2つのP型MOSTrが直列に接続され、Tr111AではソースSがゲートG電極や基板と共にVccに、ドレインDがTr111BのDに接続され、Tr111BのSはG電極及び基板と共に信号線に接続されている。信号線のノード106Aと接地電圧Vssの間にはN型MOSTr112Aが接続され、そのSは信号線のノード106Aに、DはG電極及び基板と共にVssに接続されている。

請求項（抜粋）：

電源電圧が供給される内部回路と、信号線によって前記内部回路に接続された入力端子と、第1及び第2電極を有する第1のP型MOSトランジスタと、第3及び第4電極を有する第2のP型MOSトランジスタとを備えており、前記第1のP型MOSトランジスタのゲート電極、前記第1電極及び基板は前記電源電圧に接続されており、前記第2のP型MOSトランジスタの第3電極は前記第1のP型MOSトランジスタの前記第2電極に接続されており、前記第2のP型MOSトランジスタのゲート電極、前記第4電極及び基板は前記信号線に接続されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03K 19/003

FI (3件)：

H01L 27/04 H , H03K 19/003 E , H01L 27/08 321 H

Fターム (18件)：

5F038AV06 , 5F038BE05 , 5F038BH02 , 5F038BH07 , 5F038BH15 , 5F038DF06 , 5F038DT02 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AA02 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048CC01 , 5F048CC09 , 5F048CC15 , 5F048CC18 , 5J032AB02 , 5J032AC18

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-056506 出願人：日本電信電話株式会社
半導体装置の入力保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-046487 出願人：日本電気株式会社

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