熱処理装置、基板の熱処理方法、および処理レシピを記録した媒体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224147
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043301
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】基板温度の安定を図る安定化時間を短縮しても、基板面内の熱処理を均一に行える熱処理装置を提供する。【解決手段】時間の経過と設定温度との関係を表した設定温度プロファイルによって熱処理装置を制御すると共に、設定温度プロファイルとして、成膜中の基板面上の温度分布が基板の中央近傍が高温の中央高温状態と基板の周縁が高温の周縁高温状態の双方が含まれるように規定されたものを用いる。中央高温状態と周縁高温状態の双方が打ち消されることによって、成膜中の基板の周縁と中央の平均温度が近づく。その結果、安定化時間を短縮しても基板面上でほぼ均一に熱処理が行われる。

請求項（抜粋）：

処理室内に基板を配置して熱処理を行うための熱処理装置であって、前記基板を加熱する加熱部と、前記基板上に膜を形成するための処理ガスを前記処理室内に導入するガス導入部と、時間の経過と設定温度との関係を表した設定温度プロファイルを含み、かつ前記基板上に膜を形成する熱処理工程を記述する熱処理工程記述部を少なくとも有する処理レシピに従って、前記加熱部および前記ガス導入部を制御する制御部とを具備し、前記熱処理工程中に前記基板の中央近傍の中央温度が周縁近傍の周縁温度より高い中央高温状態と該基板の該周縁温度が該中央温度より高い周縁高温状態とが現れるように、前記設定温度プロファイルが規定されていることを特徴とする熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 14/54 , C23C 16/52 , H01L 21/22 511

FI (4件)：

H01L 21/31 B , C23C 14/54 D , C23C 16/52 , H01L 21/22 511 A

Fターム (22件)：

4K029AA24 , 4K029DA04 , 4K029DA08 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4K030EA03 , 4K030HA13 , 4K030HA17 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA24 , 5F045AA06 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045EK22 , 5F045EK27 , 5F045EK30 , 5F045GB01 , 5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜の形成方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107899 出願人：株式会社東芝
基板用熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-268723 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-374347 出願人：国際電気株式会社

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