特許

J-GLOBAL ID：200903024861832980

半導体パワーデバイス

発明者： 辰川 昌弘
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329776
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006603
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】IGBTとFWDを組合せたマルチチップモジュールなどを対象に、半導体チップの大容量化に伴って増加する発熱損失を効率よく外部に放熱してパワーサイクル耐量,信頼性の向上化が図れるように改良する。【解決手段】金属ベース板1を放熱板として、該金属ベース板に搭載した絶縁基板2上にIGBT3,FWD4のパワー半導体チップを実装し、該パワー半導体チップの上面側電極と絶縁基板上の配線パターン2b〜2dとの間を接続導体で接続した構成の半導体パワーデバイスにおいて、前記接続導体として、良導電材で作られたヒートパイプ13をIGBTおよびFWDの上面主電極と絶縁基板上の配線パターン2cとの間に跨がって敷設した上で、その接合部を半田付けなどにより電気的および伝熱的に接合し、半導体チップの発熱をチップの上下両面から絶縁基板,金属ベース板を介して外部に放熱させるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

外囲ケースに組み合わせた金属ベース板を放熱板として、該金属ベース板に搭載した絶縁基板上に1ないし複数のパワー半導体チップを実装し、該パワー半導体チップの上面側電極と該電極に対応して絶縁基板上に形成した配線パターンとの間を接続導体で電気的に接続した構成になる半導体パワーデバイスにおいて、 前記接続導体として良導電材で作られたヒートパイプを用い、該ヒートパイプをパワー半導体チップの上面側主電極と絶縁基板上の配線パターンとの間に敷設して電気的および伝熱的に接合したことを特徴とする半導体パワーデバイス。

IPC (4件)：

H01L25/07 ,  H01L23/427 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

FI (3件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/48 G ,  H01L23/46 B

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BB60

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-321440   出願人：富士電機株式会社
• 電子装置の冷却機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-124186   出願人：日本電信電話株式会社
• インバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-116298   出願人：株式会社日立製作所