プラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-002417
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190877
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】紫外領域での発光を制御することにより、プラズマダメージを抑制した処理が可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】マイクロ波発生装置39からパルス状のマイクロ波を、マッチング回路38を経て導波管37に導き、内導体41を介して平面アンテナ部材31に供給し、平面アンテナ部材31からマイクロ波透過板28を介してチャンバー1内におけるウエハWの上方空間に放射させる。平面アンテナ部材31からマイクロ波透過板28を経てチャンバー1に放射されたパルス状のマイクロ波によりチャンバー1内で電磁界が形成され、Arガス、H2ガス、O2ガスがプラズマ化してウエハWに対し酸化膜の形成が行なわれる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理体に対し、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマを作用させることにより、シリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成するプラズマ処理方法であって、前記プラズマは、パルス状の電磁波により形成されることを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (10件)：

H01L 21/316 , H05H 1/00 , H05H 1/46 , H01L 29/78 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/792 , H01L 29/788

FI (8件)：

H01L21/316 A , H05H1/00 A , H05H1/46 B , H01L29/78 301F , H01L29/78 301G , H01L27/10 434 , H01L29/78 617V , H01L29/78 371

Fターム (20件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF60 , 5F058BF73 , 5F058BJ01 , 5F083EP45 , 5F083GA27 , 5F083PR12 , 5F101BH03 , 5F101BH04 , 5F110AA30 , 5F110EE09 , 5F110EE33 , 5F110FF25 , 5F140AA26 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG49

引用特許：

出願人引用 (3件)

電子デバイス材料の製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2002000439 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開昭62-076726
ラジカルの制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-205690 出願人：名古屋大学長

審査官引用 (6件)

特開昭62-076726
特開昭62-076726
特開昭62-076726

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