特許

J-GLOBAL ID：200903024885973240

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 聖幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302266
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127038
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 シリコン窒化膜(Si3N4)のドライエッチングによる微細加工において、PFCガスの排出量を削減しつつマイクロローディング効果の抑制及び高選択比エッチングを実現させ、しかも、生産性の高い新規な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上にゲート酸化膜2を介してゲート電極が形成され、このゲート電極を挟むように設けられたソース・ドレイン拡散層1a、1aとからなる半導体装置上にシリコン酸化膜6を成膜し、更に、このシリコン酸化膜6上にシリコン窒化膜7成膜して、前記ゲート電極にサイドウォールを形成する半導体装置の製造方法であって、前記シリコン酸化膜6が露出するまで、前記シリコン窒化膜7を、ハロゲンガス又はハロゲン化水素ガスを含むエッチングガス8を用いてエッチングする第1の工程と、前記拡散層1a、1aが露出するまで、前記ゲート酸化膜2とシリコン酸化膜6とを、フロロカーボンガス/Heの混合ガス9を用いてエッチングする第2の工程とを少なくとも含むことを特徴とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極が形成され、このゲート電極を挟むように設けられたソース・ドレイン拡散層とからなる半導体装置上にシリコン酸化膜を成膜し、更に、このシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を成膜して、前記ゲート電極にサイドウォールを形成する半導体装置の製造方法であって、前記シリコン酸化膜が露出するまで、前記シリコン窒化膜を、ハロゲンガス又はハロゲン化水素ガスを含むエッチングガスを用いてエッチングする第1の工程と、前記拡散層が露出するまで、前記ゲート酸化膜とシリコン酸化膜とを、フロロカーボンガス/Heの混合ガスを用いてエッチングする第2の工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (67件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104EE09 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033MM07 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA10 ,  5F040FA17 ,  5F040FA18 ,  5F040FA19 ,  5F040FC00 ,  5F040FC22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035143   出願人：ソニー株式会社
• シリコン窒化膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-201665   出願人：日本電気株式会社