特許
J-GLOBAL ID：200903024893576519
タングステン膜形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202973
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032248
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 W(タングステン)膜形成法において、下地に対する熱履歴の負荷を軽減すると共にW成膜処理を簡略化する。【解決手段】 基板20の表面を覆う絶縁膜22に接続孔22aを形成した後、絶縁膜22上に接続孔22aを覆ってTi層24a及びTiN層24bをスパッタ処理により順次に形成する。WCVD用の反応室内において、N2 プラズマ処理によりTiN層24bの表面を再窒化した後、W膜の形成を次の3ステップで行なう。SiH4 ガスを流してアモルファスSi膜を形成するイニシエーションステップの後、WF6 +SiH4 ガスを流してWの核を形成するニュークリエーションステップを行なってから、WF6 +H2 ガスを流してW膜を形成するメインステップを行なう。TiN層24bは、Ti層24aの表面をN2 プラズマ処理により窒化して形成してもよい。
請求項（抜粋）：
基板を覆う絶縁膜の上にチタン層を形成する工程と、前記チタン層の上にチタンナイトライド層を形成する工程と、タングステンを気相堆積するための反応室内において前記チタンナイトライド層の露出部及び前記チタン層の露出部をプラズマ処理により窒化する工程と、前記反応室内において前記チタンナイトライド層の窒化部及び前記チタン層の窒化部を覆ってタングステンを気相堆積してタングステン膜を形成する工程とを含むタングステン膜形成法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/285
H01L 21/90 C
, H01L 21/285 S
