特許

J-GLOBAL ID：200903024929433922

絶縁薄膜用の多孔性シリカ薄膜

発明者： 花畑 博之 ,  黒木 正勝
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336888
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142476
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】 多孔性シリカ薄膜の架橋率が70%以上であり、X線散乱測定で、散乱角度(2θ)が0.5〜3°の間に少なくとも1本以上の散乱ピークが存在し、かつ、シラノール基の面密度が2%以下であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。

請求項（抜粋）：

多孔性シリカ薄膜の架橋率が70%以上であり、該多孔性シリカ薄膜のX線散乱測定で、散乱角度(2θ)が0.5〜3°の間に少なくとも1本以上の散乱ピークが存在し、かつ該多孔性シリカ薄膜のシラノール基の面密度が2%以下であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/312 C ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 N

Fターム (67件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072FF04 ,  4G072FF06 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ47 ,  4G072KK01 ,  4G072LL13 ,  4G072LL15 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072PP17 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR05 ,  4G072RR07 ,  4G072RR12 ,  4G072UU01 ,  4G072UU07 ,  4G072UU17 ,  4G072UU21 ,  4G072UU22 ,  4G072UU30 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS03 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 界面活性剤を含む溶剤から調製するメソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-590948   出願人：バトル・メモリアル・インスティチュート
• 整列メソポーラス型薄フィルム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-512640   出願人：サンディアコーポレーション