特許

J-GLOBAL ID：200903027070448646

界面活性剤を含む溶剤から調製するメソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法

発明者： ドマンスキー、カレル ,  フリクセル、グレン・イー ,  リウ、ジュン ,  コーラー、ネイサン・ジェイ ,  バスカラン、スレッシュ ,  リー、シアホング ,  ザブザサン、サンザランピライ ,  コイル、クリストファー・エイ ,  バーンバウム、ジェローム・シー
出願人/特許権者： バトル・メモリアル・インスティチュート
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-590948
公開番号（公開出願番号）：特表2003-520745
出願日： 1999年12月23日
公開日（公表日）： 2003年07月08日
要約：

【要約】特性として、3以下の誘電率を有し、薄膜厚さが約0.1μmから約1.5μmであり、薄膜厚さの標準偏差が±5%以下であり、平均細孔径が約20nmまたはそれ以下、誘電率が低いまたはそれらの組合せである、界面活性剤を鋳型とするメソポーラスシリカ薄膜が提供される。また、低誘電率を得るためにヒドロキシル化したシリカ表面をデヒドロキシル化する方法が提供される。また、誘電率を低くし、大気条件を制御する必要のないスピンコーティング技術を可能にするメソポーラスシリカ薄膜の製造方法が提供される。

請求項（抜粋）：

界面活性剤を含む溶剤から調製するメソポーラスシリカ薄膜であって、湿り大気中で相対的安定性及び絶対的安定性を共に有するような3以下の誘電率を有し、薄膜厚さが約0.1μmから約1.5μmであり、平均細孔径が約20nmまたはそれ以下であることを特徴とするメソポーラスシリカ薄膜。

IPC (2件)：

C01B 33/12 ,  B01J 19/00

FI (2件)：

C01B 33/12 C ,  B01J 19/00 K

Fターム (15件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072RR12 ,  4G072TT08 ,  4G075AA24 ,  4G075BC10 ,  4G075CA54 ,  4G075CA57 ,  4G075CA62 ,  4G075CA63

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 合成メソポーラス結晶性物質の改変方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-160804   出願人：モービル・オイル・コーポレイション
• 微細な無機酸化物のシリル化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-134467   出願人：ワツカー-ケミーゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体基板上に薄膜ナノ多孔質アエロゲルを形成するための低揮発性溶剤基の方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-342342   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• メソポア分子ふるい、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122830   出願人：旭化成工業株式会社, 財団法人野口研究所
• 絶縁薄膜用の多孔性シリカ薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-336888   出願人：旭化成株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Low K Mesoporous Silica Films Through Template-Based Processing
• Low dielectric-constant insulators for electronics applications
• Infrared reflectance spectroscopy of porous silicas
• Continuous Mesoporous Silica Films with Highly Ordered Large Pore Structures