特許
J-GLOBAL ID：200903024950087538
磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒崎 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-252171
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079306
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 スピンバルブ膜の飽和磁界が300Oe以上、低磁界での磁気抵抗変化率が6%以上の磁気抵抗効果膜、この磁気抵抗効果膜を少なくとも一部に使用した磁気抵抗効果素子、この磁気抵抗効果素子を少なくとも一部に使用した磁気ヘッド、上記磁気抵抗効果素子と誘導型磁気ヘッドを組み合わせた複合型磁気ヘッド及びこれらの磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置を提供すること。【課題を解決する手段】 磁性層、非磁性層及び磁性層を積層した三層膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層及び磁性層を積層した五層膜、並びにこれら三層膜及び五層膜の磁性層の上または下に反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜において、上記磁性層の少なくとも一層に体心立方構造を有する合金を用いた磁気抵抗効果膜。
請求項（抜粋）：
磁性層、非磁性層及び磁性層を積層した三層膜、磁性層、非磁性層、磁性層、非磁性層及び磁性層を積層した五層膜、並びにこれら三層膜及び五層膜の磁性層の上または下に反強磁性層を有する磁気抵抗効果膜において、上記磁性層の少なくとも一層に体心立方構造を有する合金を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (3件)：
H01F 10/08
, G11B 5/39
, H01L 43/08
H01F 10/08
, G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
