磁性薄膜用のスパッタリング装置及び磁性薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203459
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020864
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】基板に対してスパッタ粒子が斜めに入射するように基板とターゲットを配置して、かつ、基板を自転させることにより、異方性比率の高い磁性薄膜を均一性良く形成する。【解決手段】三つの円形のターゲット10、12、14と、一つの円形の基板16の間に、同一形状の三つの分布修正板18、20、22が配置されている。自転する基板16の回転中心とターゲット18の中心は距離Lだけオフセットしており、基板16の中心とターゲット10の表面の中心とを結ぶ線分52は、基板16の表面の法線54に対して角度αだけ傾斜している。これにより、ターゲット10から基板16に向かうスパッタ粒子は基板16に対して斜めに入射することになり、基板16上に形成される薄膜が磁気異方性を示すようになる。

請求項（抜粋）：

次の特徴を備える磁性薄膜用のスパッタリング装置。(a)別個のカソードに取り付けられた複数のターゲットと、成膜すべき円形の基板をその中心回りに自転させる基板回転装置とを備えている。(b)前記複数のターゲットの表面は平坦であって、前記基板の表面に対して平行である。(c)前記基板の表面に垂直な方向から見たときに、前記複数のターゲットのそれぞれの中心は前記基板の中心からずれている。(d)前記複数のターゲットのそれぞれについて、ターゲットの表面の中心と前記基板の表面の中心とを結ぶ線分と基板の表面の法線とのなす角度が40度以上である。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , G11B 5/851

FI (3件)：

C23C 14/34 P , C23C 14/34 C , G11B 5/851

Fターム (20件)：

4K029AA02 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA21 , 4K029BA24 , 4K029BA34 , 4K029BC06 , 4K029BD11 , 4K029CA05 , 4K029CA15 , 4K029DC03 , 4K029DC05 , 4K029DC16 , 4K029FA07 , 4K029JA02 , 5D112AA05 , 5D112AA24 , 5D112FA04 , 5D112FB02 , 5D112FB21

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-233592 出願人：三菱電機株式会社
特開昭63-127432
磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-193482 出願人：株式会社東芝

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