レジストパターン縮小化材料および微細レジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和気操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-354099
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166475
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】露光装置および波長による限界を超える微細パターンの形成が可能なレジストパターン縮小化材料およびそれを使用する微細レジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】フォトレジスト膜を露光および現像することによって形成されるレジストパターン上に塗布し、該レジストパターンを熱処理後現像することで微細化させるための材料であって、該レジストパターン縮小化材料は、孔径40nm以下のフィルターで濾過された炭素数1〜12の直鎖状もしくは分岐状アルキル基のアルコールを含む液体であり、さらに界面活性剤および/または水を含有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フォトレジスト膜を露光および現像することによって形成されるレジストパターン上に塗布し、該レジストパターンを熱処理後現像することで微細化させるためのレジストパターン縮小化材料であって、該レジストパターン縮小化材料は、孔径40nm以下のフィルターで濾過された炭素数1〜12の直鎖状もしくは分岐状アルキル基のアルコールを含む有機液体であることを特徴とするレジストパターン縮小化材料。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/40

FI (2件)：

H01L21/30 569Z , G03F7/40 511

Fターム (9件)：

2H096AA25 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 2H096HA02 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 5F046LA14 , 5F046LA18 , 5F046LA19

引用特許：

出願人引用 (1件)

レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-098586 出願人：ジェイエスアール株式会社

審査官引用 (1件)

固体撮像素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-155396 出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社

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