特許

J-GLOBAL ID：200903084003118848

固体撮像素子の製造方法

発明者： 郡山 秀樹
出願人/特許権者： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-155396
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356572
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】狭ギャップ化が可能で、高速かつ高精度の電荷転送特性を有する単層構造の電荷転送電極を用いた固体撮像素子を生産性よく形成する。【解決手段】フォトリソグラフィによりレジスト膜に開口を形成した後、有機材料を塗布し、加熱処理により熱硬化を行うことにより、前記レジスト膜R1の表面に熱硬化層REを形成し、前記開口のサイズを縮小することにより、解像限界を超えた微細幅の微細開口を形成し、このレジスト膜をマスクとしてエッチングを行うと共に、イオン注入を行うことにより、高い寸法精度で微細間隙をもつ転送効率の高い電荷転送電極を形成することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子の製造方法において、 前記電荷転送電極の形成工程が、 ゲート酸化膜の形成された、半導体基板表面に、シリコン系導電性膜を形成する工程と、 前記シリコン系導電性膜上にレジスト膜を形成する工程と、 フォトリソグラフィにより前記レジスト膜をパターニングし、電極間領域に相当するレジスト膜を除去し、開口を形成する工程と、 前記開口に有機材料を塗布し、加熱処理により熱硬化を行うことにより、前記レジスト膜の表面に熱硬化層を形成し、前記開口のサイズを縮小し、微細開口を形成する工程と、 前記微細開口を形成したレジスト膜をマスクとして、前記シリコン系導電性膜をエッチングし、電極を形成する工程と、 前記レジスト膜をマスクとして、電極間領域に露呈する前記半導体基板表面にイオン注入を行う工程と、 前記電極間領域に絶縁膜を充填し、電極間絶縁膜を形成する工程と、 を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/339 ,  H01L27/148 ,  H01L29/762 ,  H04N5/335

FI (3件)：

H01L29/76 301A ,  H04N5/335 F ,  H01L27/14 B

Fターム (28件)：

4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118DA03 ,  4M118DA13 ,  4M118DA18 ,  4M118DA19 ,  4M118DA20 ,  4M118DB05 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118EA17 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CY47 ,  5C024GX01 ,  5C024GY01 ,  5C024JX21

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-247910   出願人：ソニー株式会社
• 配線パターンの製造方法、半導体メモリデバイスの製造方法、及び半導体メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-296662   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258455   出願人：日本電気株式会社
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-360134   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-254379