特許
J-GLOBAL ID:200903025059700578

アクティブマトリクス型液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-157598
公開番号(公開出願番号):特開平7-036056
出願日: 1993年06月28日
公開日(公表日): 1995年02月07日
要約:
【要約】【目的】 薄膜トランジスタと画素電極間との接続が工程数を増やすことなく低抵抗な電気的接触かつ大きなプロセスマージンを有する物理的接触によりなされ、さらにパット部のコンタクトホールの開口が下地と選択エッチングを可能とする。【構成】 基板上にマトリクス状に配設された複数のTFTと信号線との上部に絶縁層を介して配設され、かつTFTのそれぞれと電気的に接続された画素電極とを有し、TFTと画素電極との間が少なくとも電気抵抗率が 5×10-6Ωcm以下の金属またはその合金配線層から選ばれたひとつの配線層を含む多層配線層を介して電気的に接続され、多層配線層の最上層は画素電極と最下層はTFTの高濃度不純物領域との間で接続し、かつ多層配線層の最上層が低抵抗率金属またはその合金層以外の導電層であって、低抵抗率金属金属またはその合金層と選択的にエッチングすることのできる導電層よりなるTFTアレイ基板を備える。
請求項(抜粋):
基板と、この基板上にマトリクス状に配設された複数の薄膜トランジスタおよびこの薄膜トランジスタへ画面表示信号を伝達する信号線と、前記薄膜トランジスタおよび信号線の上部に絶縁層を介して配設され、かつ前記薄膜トランジスタのそれぞれと電気的に接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタアレイ基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間は、少なくとも電気抵抗率が 5×10-6Ωcm以下の金属またはその合金配線層から選ばれたひとつの配線層を含む多層配線層を介して電気的に接続され、前記電気的接続が前記多層配線層の最上層は前記画素電極との間で、また最下層は前記薄膜トランジスタの高濃度不純物領域との間でなされ、かつ前記多層配線層の最上層が前記金属またはその合金層以外の導電層であって、前記金属またはその合金層と選択的にエッチングすることのできる導電層よりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/784
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-035236   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • アクティブマトリクス基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-238596   出願人:シャープ株式会社

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