特許
J-GLOBAL ID：200903025081092077
自励発振型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167047
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012966
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【目的】 高濃度に不純物を添加することなく可飽和吸収層のキャリア寿命を短くできるようにして、閾値電流の低い自励発振型レーザを提供する。【構成】 活性層4を挟むn型及びp型AlGaInPクラッド層2、5内に、次の条件でn型、p型可飽和吸収層3、6を形成する。?@MOVPEにて可飽和吸収層を形成する際のV族原料供給量/III 族原料供給量比(V/III 比)を活性層形成時のV/III 比より低くする。?A可飽和吸収層のAl組成比を活性層のそれより高くする。?B可飽和吸収層の層厚を活性層のそれより薄くする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、活性層と、前記活性層を挟むクラッド層とが形成され、前記クラッド層の少なくとも一方の層中に可飽和吸収層が形成されている半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収層は前記活性層より高濃度に酸素を含み、前記可飽和吸収層は発振波長エネルギーに略等しいバンドギャップエネルギーを有し、かつ、前記活性層と可飽和吸収層とにおけるキャリア寿命τをτ1、τ2、それぞれの層の利得係数gをg1、g2、それぞれの層の光閉じこめ係数ΓをΓl、Γ2とし、前記可飽和吸収層の損失αを共振器損失αc で規格化した損失をβ(=α/αc )とした時、τ2がτl/τ2・g1/g2>-β/(1-β)でかつτ1/τ2>(1+Γl/Γ2)・(1-β)/(-β)・g1/g2+1なる関係を有することを特徴とする自励発振型半導体レーザ。
引用特許：
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