自励発振型半導体レーザ素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049366
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263794
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】安定に自励発振する自然超格子構造を取り得る半導体材料からなる可飽和光吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】発振光と略等しいエネルギーのバンドギャップを有する可飽和光吸収層4、10を備えた自励発振型半導体レーザ素子において、可飽和光吸収層4、10は無秩序化している構成とした。

請求項（抜粋）：