特許
J-GLOBAL ID：200903025097579740

結晶性半導体膜の製造方法、およびアニール装置および薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置用アクティブマトリクス基板

発明者：
阿部 裕幸

阿部 裕幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074223
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270360
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 基板として大型で汎用の安価なガラス基板などに半導体膜を形成したことで反りやうねりが生じても基板全面に均一なアニールを施すことによって、半導体膜の結晶化度にばらつきのない結晶性半導体膜を製造し、かつ、それからTFTを製造すること。【解決手段】 ガラス基板20にシリコン膜30を形成した後、エネルギー光L(レーザ光)をガラス基板20の表面に対して走査させる際に、その照射位置LLに対して先行する位置の反りやうねりなどの表面形状を計測し、この計測結果に基づいてエネルギー光Lの合焦位置Pをシリコン膜30に合わせていく。
請求項（抜粋）：
基板表面に半導体膜を形成する成膜工程と、該半導体膜に対してエネルギー光を照射して結晶性半導体膜を得るアニール工程とを有する結晶性半導体膜の製造方法において、前記成膜工程を行った以降に、前記基板の反りまたはうねりなどの表面形状を計測する表面形状計測工程を行い、前記アニール工程では、前記表面形状の計測結果に基づいて前記エネルギー光の合焦位置を前記半導体膜に合わせていくことを特徴とする結晶性半導体膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  G01B 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  G01B 21/20 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭60-117618
  • 光処理装置および光処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-243762   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-350151   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (3件)
  • 特開昭60-117618
  • 光処理装置および光処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-243762   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-350151   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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