特許

J-GLOBAL ID：200903025122538905

オーミック電極及びその製造方法、半導体デバイス、並びに光電子集積回路

発明者： 道口 健太郎 ,  矢野 浩
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320461
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017993
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【課題】 InGaAsを主成分とした化合物半導体上に形成された信頼性の高いオーミック電極を提供する。【解決手段】 本願に係るオーミック電極(5)は、InGaAsを主成分とする化合物半導体(2)上にPt層(3)を蒸着し、次いで、このPt層の上に適当な金属層(4)を形成することにより、製造することができる。このオーミック電極は、InGaAsを主成分とする化合物半導体(2)にPt層(3)が接触したオーミックコンタクトを備えているので、このオーミックコンタクトの優れた特性に基づき、高い信頼性を有する。

請求項（抜粋）：

p型のInGaAsを主成分とする化合物半導体上に接触する厚さ約400オングストローム以下のPt層を備えることを特徴とするオーミック電極。

IPC (6件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/15

FI (7件)：

H01L 29/46 H ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/15 D ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 29/46 R ,  H01L 31/10 H

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-258224   出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 特開昭61-012070
  
• オーミック電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-215757   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-258224   出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 特開昭61-012070
  
• オーミック電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-215757   出願人：日本電気株式会社