特許

J-GLOBAL ID：200903025139644369

レジスト除去方法

発明者： 山本 淳
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-277344
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114241
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】プラズマエッチングによるレジスト除去方法において、腐食成分の除去およびレジスト除去の両方が十分に行われる方法を提供する。【解決手段】レジスト除去のためのプラズマエッチングを、酸素ガスとアルコールガスとの混合ガスを用いて、2段階以上に分けて行う。各段階で使用する混合ガスの酸素に対するアルコールの比率を前段階よりも後段階で低く設定する。

請求項（抜粋）：

ウエハに形成されたアルミニウム系薄膜に対してレジストパターンをマスクとしたエッチングを行った後に、酸素ガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、このウエハに付着しているレジストを除去するレジスト除去方法において、前記プラズマエッチングを2段階以上に分け、少なくとも最終段階以外の段階では酸素ガスとアルコールガスとの混合ガスを用いたプラズマエッチングを行い、最終段階では酸素ガスとアルコールガスとの混合ガスまたは酸素ガスのみを用いたプラズマエッチングを行うとともに、各段階で使用する混合ガスの酸素に対するアルコールの比率を(1/15)以上(1/2)以下とし、さらに前記比率を前段階よりも後段階で低く設定することを特徴とするレジスト除去方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01L 21/302 H ,  C23F 4/00 E ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 F

Fターム (46件)：

2H096AA27 ,  2H096HA11 ,  2H096HA13 ,  2H096LA07 ,  2H096LA09 ,  4K057DA20 ,  4K057DB05 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE04 ,  4K057DE20 ,  4K057DG01 ,  4K057DG02 ,  4K057DG06 ,  4K057DG07 ,  4K057DG08 ,  4K057DG11 ,  4K057DG12 ,  4K057DG13 ,  4K057DK03 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004AA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA11 ,  5F004BA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EB02 ,  5F046MA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 試料の後処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-298413   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272758   出願人：セイコーエプソン株式会社