特許
J-GLOBAL ID：200903025158720696

反応現像画像形成法

発明者：
大山 俊幸

大山 俊幸 について


出願人/特許権者：
国立大学法人横浜国立大学

国立大学法人横浜国立大学 について


代理人 (3件)： 下田 昭 ,  赤尾 謙一郎 ,  小山 尚人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-225970
公開番号（公開出願番号）：特開2009-058761
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】半導体集積回路、プリント配線基板又は液晶パネルの製造に用いることのできるフォトレジスト技術に関し、従来のネガ型の反応現像画像形成法を高感度に改良し、必要な露光量や露光時間又は光酸発生剤量を大幅に削減する。【解決手段】酸素原子を介してアルキル基を有する下記エステル化合物を増幅剤として、ポリマー、アニオン再生剤及び光酸発生剤と併用すると、その露光に対する感度が格段に改善することを見出した。 R1-Y-X-O-R2(式中、R1はアリール基等、Yは単結合等、Xはカルボニル基(-CO-)等、R2はアルキル基を表す。)で表される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に、ヘテロ原子に結合したカルボニル基(C=O)を主鎖に含む縮合型ポリマー、アニオン再生剤、光酸発生剤及び増幅剤を含むフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、 (a)該アニオン再生剤が下式
IPC (4件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/023 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F7/038 505 ,  G03F7/004 503 ,  G03F7/023 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/038 504 ,  H01L21/30 502R
Fターム (12件)：
2H025AA01 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025CB21 ,  2H025CB25 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA15
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 反応現像画像形成法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-309500   出願人：よこはまティーエルオー株式会社
審査官引用 (2件)
  • ポジ型感光性樹脂組成物
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-277443   出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
  • 反応現像画像形成法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-309500   出願人：よこはまティーエルオー株式会社

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