特許
J-GLOBAL ID：200903082647792997

反応現像画像形成法

発明者：
友井 正男

友井 正男 について

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福島 誉史

福島 誉史 について

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板谷 博

板谷 博 について


出願人/特許権者：
よこはまティーエルオー株式会社

よこはまティーエルオー株式会社 について


代理人 (1件)： 滝田 清暉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-309500
公開番号（公開出願番号）：特開2003-076013
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路、プリント配線基板又は液晶パネルの製造に用いることのできるフォトレジスト技術に関し、何ら特殊な反応基を樹脂骨格の側鎖に持たせることなしに、ヘテロ原子に結合したカルボニル基(C=O)を主鎖に有する一般の樹脂を用いて、これらの結合を直接攻撃して、その結合を破壊する手段を提供する。【解決手段】 本発明は、所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に紫外線を照射し、その後この層をアルカリを含む溶剤で洗浄することから成る現像画像形成法において、該フォトレジスト層がヘテロ原子に結合したカルボニル基(C=O)を主鎖に含む縮合型ポリマーと光酸発生剤とから成り、該アルカリがアミンであることを特徴とする反応現像画像形成法である。この反応現像画像形成法は、カーボナート、エステル、ウレタン又はアミドのいずれかの結合を有する縮合型ポリマーなどの求核試剤との反応性が低い結合を有する樹脂をフォトレジストの対象として用いることを可能としたところに特徴がある。
請求項（抜粋）：
所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に紫外線を照射し、その後この層をアルカリを含む溶剤で洗浄することから成る現像画像形成法において、該フォトレジスト層がヘテロ原子に結合したカルボニル基(C=O)を主鎖に含む縮合型ポリマーと光酸発生剤とから成り、該アルカリがアミンであることを特徴とする反応現像画像形成法。
IPC (4件)：
G03F 7/037 ,  G03F 7/035 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/037 ,  G03F 7/035 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (21件)：
2H025AA00 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB19 ,  2H025CB20 ,  2H025CB22 ,  2H025CB23 ,  2H025CB25 ,  2H025CB41 ,  2H025CB51 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096BA11 ,  2H096GA09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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