特許

J-GLOBAL ID：200903025187006960

EPIR素子及びそれを利用した半導体装置

発明者： 鈴木 利昌 ,  西 湯二 ,  藤本 正之 ,  粟屋 信義 ,  井上 剛至 ,  崎山 惠三
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社 ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-060965
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273656
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】量産性に優れた実用性の高いEPIR素子を提供する。【解決手段】EPIR素子は、各種基板上に、下部電極層,CMR薄膜層,上部電極層を順に積層したものである。下部電極層であるPt多結晶薄膜10は、柱状のPt結晶粒10A,10B,10C,・・を含んでいるが、それらのうちの90%以上が(111)配向を有する。Pt結晶粒10A,10B,10C,・・の各最表面上には、柱状のPCMO結晶粒群20A,20B,20C,・・がそれぞれ局部的にエピタキシャル成長している。そして、各PCMO結晶粒群20A,20B,20C,・・に含まれる結晶粒の基板面法線方向に垂直な結晶面は、(100)p,(110)p,(111)pのいずれか1つとなっている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下部電極層,CMR材料薄膜層,上部電極層の順で積層された構造を有するEPIR素子であって、 貴金属単体もしくはそれらの合金を主成分とした金属材料によって前記下部電極層を形成するとともに、該下部金属電極層の多くが(111)配向を有し、 前記CMR材料薄膜層の結晶粒の多くが、前記下部金属電極層の(111)面を最表面とする金属結晶粒上に局所的にエピタキシャル成長したことを特徴とするEPIR素子。

IPC (6件)：

H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

FI (8件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 D ,  H01L43/08 M ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447

Fターム (16件)：

5E049AB07 ,  5E049DB04 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA13 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083MA05 ,  5F083MA18 ,  5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化物電極薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-304036   出願人：セイコーエプソン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Novel colossal magnetoresistive thin film nonvolatile resistance random access memory (RRAM)"