酸化物電極薄膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304036
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122698
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】 PZTなどを用いた強誘電体キャパシタ型メモリにおいて、残留分極特性を向上させるためには、(100)シリコン基板上にペロブスカイト構造を有する強誘電体および酸化物下電極を(100)あるいは(001)方向にエピタキシャル成長させる必要があるが、従来、(100)シリコン基板上あるいは(100)フルオライト構造バッファ層上に、ペロブスカイト酸化物を(100)あるいは(001)配向させることは不可能であった。【解決手段】 (100)シリコン基板1上、あるいは(100)フルオライト構造バッファ層2上に、ぺロブスカイト構造の一部であるMO層からなるNaCl構造のMO層3(M=Ca、Sr、Ba)を(100)方向でエピタキシャル成長させ、その後、SrRuO3などのぺロブスカイト酸化物電極薄膜4、強誘電体層5、酸化物電極薄膜6を堆積することにより、(100)あるいは(001)配向の強誘電体キャパシタを実現する。

請求項（抜粋）：

(100)シリコン基板と、前記シリコン基板上に少なくともNaCl構造の(100)配向した金属酸化物MO(M=Ca、Sr、Ba)を含むバッファ層と、前記バッファ層上にペロブスカイト構造の擬立方晶で(100)配向に相当する金属酸化物層ABO3とを有することを特徴とする酸化物電極薄膜。

IPC (8件)：

C30B 29/24 , H01L 21/28 301 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

C30B 29/24 , H01L 21/28 301 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (21件)：

4G077AA07 , 4G077AB02 , 4G077BB10 , 4G077BC11 , 4G077DA11 , 4G077EF03 , 4G077HA05 , 4G077SB01 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104DD33 , 4M104EE02 , 4M104GG16 , 5F001AA17 , 5F001AG17 , 5F083FR00 , 5F083JA15 , 5F083JA45 , 5F083PR22 , 5F101BA62 , 5F101BH30

引用特許：

審査官引用 (2件)

酸化物積層構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-336158 出願人：ソニー株式会社
機能性薄膜積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-023180 出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社

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