特許

J-GLOBAL ID：200903025207940583

表面検査方法及び装置

発明者： 佐藤 努 ,  谷口 英行 ,  平野 立一
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260406
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083100
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 1μm未満の微小な析出物でも安定して観察できる光学系を開発し、電子工業用、特にエピタキシャル成長用半導体ウエハーの検査に有用である表面検査方法及び装置を得ることを課題とする。【解決手段】 被検査物を暗室内に設置し、該被検査物の表面に対し、該表面での照度が10,000ルクス以上となる光源を入射角度50〜70°で当て、その散乱光を露出値2.5〜10にした光学系により、前記被検査物の表面に対し80〜100°の位置に設置した検知センサーへ導いて、被検査物の表面を検知センサーにより検査することを特徴とする表面検査方法及び装置。

請求項（抜粋）：

被検査物を暗室内に設置し、該被検査物の表面に対し、該表面での照度が10,000ルクス以上となる光源を入射角度50〜70°で当て、その散乱光を露出値2.5〜10にした光学系により、前記被検査物の表面に対し80〜100°の位置に設置した検知センサーへ導いて、被検査物の表面を検知センサーにより検査することを特徴とする表面検査方法。

IPC (2件)：

G01N 21/956 ,  G01B 11/30

FI (2件)：

G01N 21/956 A ,  G01B 11/30 Z

Fターム (20件)：

2F065AA49 ,  2F065BB25 ,  2F065CC19 ,  2F065FF01 ,  2F065FF04 ,  2F065FF41 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ07 ,  2F065JJ13 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL30 ,  2G051AA51 ,  2G051AB07 ,  2G051BA20 ,  2G051BB01 ,  2G051CA03 ,  2G051CA20 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 表面の検査方法および検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-330054   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 半導体ウェーハの外観検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-223179   出願人：コマツ電子金属株式会社, 九州コマツ電子株式会社
• 画像入力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262820   出願人：株式会社ニコン