半導体発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196589
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041583
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】寄生容量特に接合容量の低減化ををはかり、しかも信頼性が高く、製造が容易で、歩留りの向上をはかることができるようにする。【解決手段】基板1上に少なくとも第1導電型のクラッド層2と、活性層3と、第2導電型のクラッド層4とが形成されてなる半導体層に、その発光部となる部分を15μm〜150μm残してその両側に、活性層を横切ってイオン注入高抵抗領域21が形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層とが形成されてなる半導体層に、発光部となる部分を15μm〜150μm残してその両側に、上記活性層を横切ってイオン注入高抵抗領域が形成されてなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01S 3/103

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01S 3/103

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭60-247988
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229876 出願人：株式会社東芝
特開昭60-247988

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