特許
J-GLOBAL ID：200903025215203784
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-341732
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210831
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電圧が小さく、かつ、動作電圧範囲の広いMISトランジスタとして機能する半導体装置を提供する。【解決手段】 HDTMOSは、Si基板10と、埋め込み酸化膜11と、半導体層30とを有している。半導体層30は、上部Si膜12と、各々エピタキシャル成長されたSiバッファ層13,SiGe膜14,Si膜15とから構成されている。また、高濃度のn型Siボディ領域22と、n- Si領域23と、低濃度のn型不純物を含むSiGeチャネル領域24と、低濃度のn型Siキャップ層25と、ゲート電極17とSiボディ領域22とを電気的に接続する導体部材であるコンタクト26とが設けられている。チャネル層にボディ領域を構成する材料よりもキャリアが走行するバンド端のキャリアに対するポテンシャルが小さい材料を導入することにより、しきい値電圧を小さく維持しつつ、動作範囲を拡大する。
請求項（抜粋）：
基板と、上記基板の一部に設けられた半導体層と、上記半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、上記半導体層のうち上記ゲート電極の両側方に設けられた第1導電型のソース・ドレイン領域と、上記半導体層のうち上記ソース・ドレイン領域間に位置する領域に設けられた第1の半導体からなるチャネル領域と、上記半導体層のうち上記チャネル領域の下方に設けられ、上記第1の半導体よりもキャリアが走行するバンド端のキャリアに対するポテンシャルが大きい第2の半導体からなる第2導電型のボディ領域と、上記ゲート電極と上記ボディ領域とを電気的に接続するための導体部材とを備えている半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/08 331
, H01L 29/78
H01L 27/08 331 E
, H01L 29/78 622
, H01L 27/08 321 C
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 626 Z
