特許
J-GLOBAL ID：200903025239624403

エピタキシャルに成長した鉛ゲルマネート膜およびその堆積方法

発明者：
ティンカイ リー

ティンカイ リー について

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フェンヤン ザンク

フェンヤン ザンク について

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ヨシ オノ

ヨシ オノ について

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シェン テン スー

シェン テン スー について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

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代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131693
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007103
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 1T型FeRAMのメモリセルを形成するのに有望なPGO膜をMOCVDで形成する場合に雰囲気を制御して第2の相の成長を抑制すること。【解決手段】 鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜において、半導体ウェハ上にPGO膜をエピタキシャルに成長させる方法であって、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合し、約4.5:3から5.5:3の範囲の分子比を有するPGO混合物を形成する工程102と、工程102の混合物をテトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒で溶解し、前駆体溶液を形成する工程と104、工程104において形成された該溶液から、前駆体ガスを生成する工程106と、工程106において生成された前駆体ガスを該ウェハ上で分解する工程108と、エピタキシャルにPGO膜を成長させる工程であって、Pb5Ge3O11の第1相を含み、それにより強誘電特性を備えた均質膜が形成される、工程110とを含む、方法。
請求項（抜粋）：
鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜において、半導体ウェハ上にPGO膜をエピタキシャルに成長させる方法であって、該方法は、a) [Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合し、約4.5:3から5.5:3の範囲の分子比を有するPGO混合物を形成する工程と、b) 該工程a)の該混合物をテトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒で溶解し、前駆体溶液を形成する工程と、c) 該工程b)において形成された該溶液から、前駆体ガスを生成する工程と、d) 該工程c)において生成された該前駆体ガスを該ウェハ上で分解する工程と、e) エピタキシャルにPGO膜を成長させる工程であって、Pb5Ge3O11の第1相を含み、それにより強誘電特性を備えた均質膜が形成される、工程と、を含む、方法。
IPC (8件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/22 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 307 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/10 451
FI (9件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/22 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 307 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/26 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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