特許
J-GLOBAL ID：200903005421241322
多相鉛ゲルマネート膜および堆積方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357691
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 1T型FeRAMのメモリセルに有用なPGO膜を2層構造にすることにより1層目の粒径を制御し、成膜後の膜質の最適化を図ること。【解決手段】 鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を、集積回路(IC)膜上に形成する工程であって、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]を混合し、第1の所定モル比を有するPGO混合物を形成する工程102と、工程102の混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒で溶解し、前駆体溶液を形成する工程104と、工程104において形成された溶液を加熱し、前駆体ガスを生成する工程106と、前駆体ガスを、IC膜に導入する工程108と、工程106において生成された前駆体ガスを、IC膜上で分解し、強弾性特質を有し、Pb5Ge3O11である第1の相およびPb3GeO5である第2の相を含むPGO膜を形成し、それによりPGO膜の強誘電特性がPGOの第2の相を加えて改良される工程112を含む、方法。
請求項（抜粋）：
鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を、集積回路(IC)膜上に形成する工程であって、該方法は、a) [Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]を混合し、第1の所定モル比を有するPGO混合物を形成する工程と、b) 該工程a)の該混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒で溶解し、前駆体溶液を形成する工程と、c) 該工程b)において形成された該溶液を加熱し、前駆体ガスを生成する工程と、d) 該前駆体ガスを、該IC膜に導入する工程と、e) 該工程c)において生成された該前駆体ガスを、該IC膜上で分解し、強誘電特性を有し、Pb5Ge3O11である第1の相およびPb3GeO5である第2の相を含むPGO膜を形成し、それにより該PGO膜の強誘電特性がPGOの該第2の相を加えて改良される工程を含む、方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, C30B 29/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/316 X
, C30B 29/22 Z
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
