特許
J-GLOBAL ID：200903032590287550
c軸配向鉛ゲルマネートの膜およびその堆積方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131695
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007104
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 1T型FeRAMのメモリセルに有用なPGO膜を、有機原料を用いたMOCVDで形成し、c軸配向の膜を得ること。【解決手段】 集積回路(IC)膜上にc軸配向を有する多結晶鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を形成する方法であって、約4.5:3〜5.5:3の範囲のモル比を有するPGO混合物を形成するために、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合する工程102と、前駆体溶液を形成するために、工程102の混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノールおよびテトラグリムの溶媒を用いて溶解する工程104と、工程104において形成された溶液を用いて前駆体ガスを生成する工程106と、工程106において形成された前駆体ガスをウエハ上で分解する工程108と、Pb5Ge3O11である第1の相を含むPGO膜を形成する工程110と、PGO膜のPb5Ge3O11相において主としてc軸に結晶配向を形成し、それによりPGO膜の強誘電特性が最適化される工程112aと、を含む方法。
請求項（抜粋）：
集積回路(IC)膜上にc軸配向を有する多結晶鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を形成する方法であって、a)約4.5:3〜5.5:3の範囲のモル比を有するPGO混合物を形成するために、[Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]とを混合する工程と、b)前駆体溶液を形成するために、該工程a)の該混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノールおよびテトラグリムの溶媒を用いて溶解する工程と、c)該工程b)において形成された該溶液を用いて前駆体ガスを生成する工程と、d)該工程c)において形成された該前駆体ガスをウエハ上で分解する工程と、e)Pb5Ge3O11である第1の相を含むPGO膜を形成する工程と、f)該PGO膜の該Pb5Ge3O11相において主としてc軸に結晶配向を形成し、それにより該PGO膜の強誘電特性が最適化される工程と、を含む方法。
IPC (10件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, C23C 16/46
, H01L 21/31
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/316 X
, C23C 16/40
, C23C 16/46
, H01L 21/31 B
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
