特許

J-GLOBAL ID：200903025270817660

半導体発光素子

発明者： 小出 典克 ,  相生 明雄 ,  西野 猛
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-033577
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234501
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 Si基板のように窒化物半導体膜より熱膨張係数が小さい基板を用いた場合に、クラックの発生を抑えつつ、窒化物半導体膜の結晶性を良好とすることで長寿命でかつ高輝度な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わせる窒化ガリウム系化合物半導体層を有するもので、GaN層3と発光層6との間に第2中間層4を有し、第2中間層4はGaN層3の格子定数よりも発光層6の格子定数に近い格子定数を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わせる窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体発光素子において、第1のGaN層と発光層との間に1の中間層を有し、前記1の中間層は前記第1のGaN層の格子定数よりも前記発光層の格子定数に近い格子定数を有することを特徴とする、半導体発光素子。

Fターム (8件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-310333   出願人：松下電器産業株式会社
• 3族窒化物化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-099095   出願人：豊田合成株式会社