特許

J-GLOBAL ID：200903025282820771

窒化物半導体結晶の成長方法及びそれを用いた素子

発明者： 松山 裕司
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283044
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119807
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】結晶欠陥や反りやクラックが少なく、紫外発光素子の層として、自己吸収の少ない結晶層として好適に用いられる高Al混晶比の窒化物半導体結晶とそれを用いた素子を提供する。【解決手段】基板1上に、Alを含む窒化物半導体(例えばAlGaN)からなる第1の層3を成長させ、その後、成長温度から降温するなどして、第1の層に亀裂10を設け、続いて、その第1の層4の上に、Alを含む窒化物半導体、例えばAlGaN、からなる第2の層5を成長させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体結晶を成長する方法において、 基板の上に、窒化物半導体からなる第1の層を成長させる工程と、該第1の層の少なくとも一部を分断させる亀裂を形成する工程と、該亀裂を有する第1の層の上に窒化物半導体からなる第2の層を成長させる工程と、を具備してなることを特徴とする窒化物半導体結晶の成長方法。

IPC (4件)：

H01L21/02 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (5件)：

H01L21/02 B ,  C30B29/38 C ,  C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DA69 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板、半導体素子及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075295   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-285674   出願人：株式会社東芝