特許

J-GLOBAL ID：200903086597349685

半導体基板、半導体素子及びそれらの製造方法

発明者： 橋本 忠朗 ,  油利 正昭 ,  今藤 修 ,  石田 昌宏
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075295
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341036
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 基板の上に形成されている化合物半導体結晶層に発生する貫通転位を大きく低減する。【解決手段】 サファイア基板10と、該サファイア基板10の上に形成されたアンドープGaNよりなるバッファ層11及びn型GaNよりなる化合物半導体結晶層12とによって発光ダイオードの基板Aが構成されている。化合物半導体結晶層12の上に順次形成された、n型GaNよりなる第1のクラッド層13、アンドープIn0.2Ga0.8Nよりなる活性層14及びp型GaNよりなる第2のクラッド層15によって発光ダイオードの素子構造Bが構成されている。第2のクラッド層15の上にはp型電極16が形成されており、第1のクラッド層13の上にはn型電極17が形成されている。サファイア基板10におけるp型電極16と対向する領域には、台形状の断面を有する凹状部18が形成されており、サファイア基板10における凹状部18の上側部分10aの厚さは第1のクラッド層13の厚さと同程度以下である。

請求項（抜粋）：

ウエハ状の板状結晶と、前記板状結晶の上側に形成され、前記板状結晶の格子定数と異なる格子定数を持つ化合物半導体結晶層とを備えた半導体基板であって、前記板状結晶の下面に、前記板状結晶における各素子形成領域の厚さが全面に亘って前記化合物半導体結晶層の厚さと同程度以下になるように形成された凹部を備えていることを特徴とする半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-181914
  
• III族窒化物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-354572   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-337797   出願人：住友電気工業株式会社