特許

J-GLOBAL ID：200903025294155340

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 高倉 輝芳 ,  伊藤 茂稔 ,  神川 剛
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 大前 要 ,  板東 義文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-329064
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190980
出願日： 2005年11月14日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】本発明の目的は、窒化物半導体基板上に窒化物半導体発光素子構造を有する層を積層する際に生じる、層厚の不均一性、表面の平坦性欠如を、クラックを抑制しつつこれらを改善することである。【解決手段】本発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造方法においては、まず、ストライプ状の溝部17が形成された窒化物半導体基板を用意する。溝部17に、基板表面に対して53.5度以上63.4度以下の傾きを有する結晶面16ができるように、溝部17の側壁を含む窒化物半導体基板10上に、窒化物半導体からなる下地層21を形成する。下地層21の上に、Alを含む下部クラッド層と、活性層と、Alを含む上部クラッド層からなる発光素子構造11を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ストライプ状の溝部が形成された窒化物半導体基板を用意する工程と、 前記溝部に、前記基板表面に対して53.5度以上63.4度以下の傾きを有する結晶面ができるように、前記溝部の側壁を含む前記窒化物半導体基板上に、窒化物半導体からなる下地層を形成する工程と、 前記下地層の上に、Alを含む下部クラッド層と、活性層と、Alを含む上部クラッド層を順次形成する工程とを具備することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/22

FI (2件)：

H01S5/343 610 ,  H01S5/22

Fターム (11件)：

5F173AA05 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AH22 ,  5F173AP33 ,  5F173AP38 ,  5F173AP92 ,  5F173AQ01 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92 ,  5F173AR93

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子とその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-038228   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体のための電極構造及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-010022   出願人：シャープ株式会社
• GaN系半導体レーザ素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-378179   出願人：ソニー株式会社