特許
J-GLOBAL ID：200903073074868889

窒化物半導体のための電極構造及びその作製方法

発明者：
高谷 邦啓

高谷 邦啓 について

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大野 智輝

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伊藤 茂稔

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出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010022
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221493
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】n型窒化物半導体のための電極であって、経時的特性に優れかつ機械的強度の高い良好なオーミック電極を提供する。【解決手段】n型GaNコンタクト層(102)に対して、コンタクト層表面からTi層、Al層、Mo層、Pt層、Au層を順次積層して電極構造(112)を作製する。従来n型電極としてよく用いられているTi層、Al層、Mo層、Au層の積層構造に比べ、Pt層を挿入したことにより、Au層の剥がれが抑えられる。また、Au層のコンタクト層側への拡散をほぼ完全に抑止することができて、電極の特性が経時的に劣化するのが防止される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
n型不純物を含むIII族窒化物半導体のための電極構造であって、 Hf、Ti、Sc、Y、LaおよびZrのうち少なくとも1種類を含む第1の層と、 Mo、Cr、W、ZrおよびTaのうち少なくとも1種類を含む第2の層と、 Pt、CrおよびZrのうち少なくとも1種類からなる第3の層と、 AuおよびAlのいずれかを含む第4の層を この順に窒化物半導体側から含むことを特徴とする電極構造。
IPC (2件)：
H01S5/042 ,  H01S5/343
FI (2件)：
H01S5/042 612 ,  H01S5/343 610
Fターム (11件)：
5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073EA29 ,  5F073FA14
引用特許：
審査官引用 (11件)
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