特許

J-GLOBAL ID：200903025367520700

新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： 大澤 洋一 ,  渡辺 聡 ,  島田 順次 ,  竹村 勝也 ,  名倉 茂広 ,  石原 俊信
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-241234
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年09月16日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される非置換又は置換アリールスルホン酸アニオンを有するスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1、R2、R3はそれぞれ非置換又は置換芳香族基であり、R1、R2、R3の少なくとも一つは酸不安定基を有する置換芳香族基で、残りの少なくとも一つは窒素含有芳香族基であるか、又はR1、R2、R3の全てが窒素含有芳香族基である。Zは水素原子、アルキル基又はアルコキシ基であり、nは1〜5の整数である。)【効果】 上記式(1)のスルホニウム塩は、塩基性化合物によるレジスト表面における失活のみならず、レジスト膜-基板界面における失活の影響も少なくすることができ、パターンプロファイル形状が良く、酸不安定基を有する場合には露光部と未露光部の溶解コントラストを大きくすることができるため、微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される非置換又は置換アリールスルホン酸アニオンを有するスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1、R2、R3はそれぞれ非置換又は置換芳香族基であり、R1、R2、R3の少なくとも一つは酸不安定基を有する置換芳香族基で、残りの少なくとも一つは窒素含有芳香族基であるか、又はR1、R2、R3の全てが窒素含有芳香族基である。Zは水素原子、アルキル基又はアルコキシ基であり、nは1〜5の整数である。)

IPC (6件)：

C07C381/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

C07C381/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

出願人引用 (4件)

• スルホニウム塩及びレジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019844   出願人：信越化学工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-152655   出願人：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• 特許第3606291号
  
• 特許第3399166号
  

審査官引用 (4件)

• スルホニウム塩及びレジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019844   出願人：信越化学工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-152655   出願人：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• 特許第3606291号
  
• 特許第3399166号