特許
J-GLOBAL ID：200903025373389291

露光方法

発明者：
今井 彰

今井 彰 について

, 
長谷川 昇雄

長谷川 昇雄 について

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早野 勝也

早野 勝也 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-292782
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110719
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 パターンの収差による精度劣化を防止しつつ微細化する。【解決手段】 フォトマスク製作工程において、マスクパターン5がスキャナの走査方向で二分割され一方の分割領域にはレベンソン形位相シフトマスクパターンからなる第一分割パターン部10が、他方の分割領域には補助パターン形位相シフトマスクパターンからなる第二分割パターン部20が形成されたフォトマスク1が製作される。第一露光工程において、ウエハ上のレジストに第一分割パターン部10が露光される。第二露光工程において、第一露光工程で露光された露光領域に第二分割パターン部20が二重露光される。【効果】 スキャナの転写で収差の劣化を防止できる。第一分割パターン部と第二分割パターン部を二重露光させ、かつ、レベンソン形と補助パターン形を併用することでパターンを微細化できる。
請求項（抜粋）：
フォトマスクに形成されたパターンが露光対象物上の同一レジストに走査露光方式によって繰り返し露光される露光方法において、前記パターンが前記走査露光方式の走査方向において複数の領域に分割されており、各分割領域には各分割パターン部がそれぞれ形成されたフォトマスクを準備する工程と、前記露光対象物上のレジストに前記フォトマスクの前記複数の分割パターン部のうち一つの分割パターン部が露光される第一の露光工程と、前記露光対象物上のレジストにおける前記第一の露光工程によって露光された露光領域に前記フォトマスクの前記複数の分割パターン部のうち他の分割パターン部が二重露光される第二の露光工程とを備えており、前記第二の露光工程が前記複数の分割パターン部の残りの回数だけ繰り返されることを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (3件)：
G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 518
Fターム (5件)：
5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CB17
引用特許：
審査官引用 (4件)
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