半導体装置の製造方法と露光用マスク

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-221229
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064788
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】セルアレイ部分及びそれ以外の部分で最適な照明条件を設定することができ、解像性の向上をはかる。【解決手段】複数のメモリセルからなるセルアレイを備えた半導体記憶装置の製造方法において、セルアレイ領域とセンスアンプ領域とのそれぞれのパターンを一枚の露光用マスクの異なる領域に分割して形成し、かつセルアレイ領域のパターンをレベンソン型に構成し、センスアンプ領域のパターンをハーフトーン型に構成した露光用マスクを用い、露光用マスク上の2つの領域のうちセルアレイ領域のパターンを、σ=0.3の照明条件で半導体基板上の各チップに対しそれぞれ位置合わせして露光し、次いでセンスアンプ領域のパターンを、σ絞りとして外径0.6で内径0.4より内側の領域を遮蔽した遮蔽率ε=2/3の輪帯照明絞りを用いた照明条件で各チップに対しそれぞれ位置合わせして露光する。

請求項（抜粋）：

セルアレイと該セルアレイ以外のそれぞれのパターンを一枚の露光用マスクの異なる複数の領域に分割して形成し、かつ少なくとも該セルアレイのパターンの一部に照明光の位相を変化させる位相シフタを設けた露光用マスクを用い、前記露光用マスク上の複数の領域のうち一領域のパターンを、該パターンに応じた照明条件で半導体基板上の各チップに対しそれぞれ位置合わせして露光し、かつ該露光を前記領域数に応じて繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/30 528 , G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P , H01L 27/10 625 C , H01L 27/10 681 B

引用特許：

審査官引用 (10件)

投影露光方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267182 出願人：株式会社日立製作所
位相シフトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-162920 出願人：株式会社東芝
特開平4-273245

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