半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-067908
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259904
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】低消費電力で歩留まりがよくかつ高信頼性の電力用半導体装置を提供する。【解決手段】ストラップ電極板13はパワーMOSFETのチップの全面に配置されている。この電極板13はソース領域用の複数の電極膜に共通接続されている。ストラップ電極板13の下には層間絶縁膜43を介してゲート引回配線7が設けられている。ゲート引回配線7は複数のゲート5を共通接続する。ゲート引回配線7はポリシリコン部39及びp型シリコン領域21(半導体層)の面内方向でポリシリコン部39に隣接して形成されたメタル部41を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体層と、ポリシリコンを含むゲートと、ソース領域及びエミッタ領域のうち少なくとも一方として機能すると共に前記半導体層の一方の面側の前記半導体層中に形成された第1半導体領域と、ドレイン領域及びコレクタ領域のうち少なくとも一方として機能すると共に前記半導体層の他方の面側の前記半導体層中に形成された第2半導体領域と、ポリシリコン部及び前記半導体層の面内方向で前記ポリシリコン部に隣接して形成されたメタル部を含むと共に複数の前記ゲートに共通接続されたゲート引回配線と、前記第1半導体領域、前記ゲート引回配線及び複数の前記ゲートを覆うように形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に形成されると共に前記第1半導体領域に接続された電極膜と、前記ゲート引回配線の上の前記層間絶縁膜を覆いかつ複数の前記電極膜を覆うように位置すると共に複数の前記電極膜に共通接続されたストラップ電極板と、を備える、

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (4件)：

H01L29/78 652Q , H01L29/78 652S , H01L29/78 653A , H01L29/78 655G

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-210417 出願人：富士電機株式会社
絶縁電極およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-184730 出願人：日産自動車株式会社

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